در عصر تکنولوژی اطلاعات استفاده از ابررایانه ها امری اجتناب ناپذیر است. در این رایانه ها ترانزیستورهای با سرعت بسیار بالا و زمان سویچینگ بسیار کوتاه ، حرف اول را می زنند . بنابراین مطالعه پژوهش در ساختارهای چندلایه ای می تواند ما را در شناخت ساختار و اصلاح و بهینه سازی عملکرد اینگونه ترانزیستورها جهت استفاده بهتر یاری نماید.در ساختارهای مدوله آلائیده گاز حفره ای دوبعدی به دلیل اختلاف در گاف نوا...

ساختارهای دور آلاییده در طراحی، مطالعه و عملکرد ترانزیستورهای اثر میدانی ( fet)کاربرد دارند. به دلیل ناپیوستگی نوار ظرفیت یا رسانش یک چاه کوانتومی شکل می گیرد، که باعث ایجاد یک گاز حامل دو بعدی در فصل مشترک ناهمگون این ساختارها می شود. به دلیل جدایی فضایی بین حامل های آزاد دو بعدی و ناخالصی های یونیده در ساختارهای دور آلاییده برهمکنش کولنی کاهش یافته و در نتیجه پراکندگی ناشی از ناخالصی های یونی...

در سطح آزاد نیم رساناها برای مثال سطح سیلیکن، حالت تناوبی اتم های بلور گسیخته می شود به طوری که بعضی از پیوندهای اتمی به صورت پیوندهای آزاد باقی می مانند. در نتیجه حالت های سطحی دهنده و یا پذیرنده زیادی در گاف نواری سطح سیلیکن وجود دارد. به طور مشابه در اتصال شوتکی فلز – نیم رسانا (ti-si)، حالت های میان گاهی الکترونیکی در گاف نواری القا می شوند. به هر حال حالت های سطحی (و یا میان-گاهی) توانایی ...

چکیده ندارد.

گاز درون حفره های انبساط پذیر بدن متأثر از تغییرات فشار بیرون است؛ در نتیجه وقتی که فشار اتمسفر کاهش می یابد (در طول صعود یا از دست دادن فشار کابین هواپیما) حجم گاز افزایش می یابد، در حین فرود این فرایند برعکس می شود و حجم گاز درون حفره کاهش پیدا می کند. گاز درون حفره های مختلف بدن به اشکال مختلفی با محیط خارج ارتباط دارند، هنگام تغییر فشار خارجی، فشار گاز درون این حفره ها باید با محیط اطراف به...

آزمایشات نشان می دهد که وقتی چگالی گاز حامل کم باشد سیستم رفتار عایق گونه از خود نشان می دهد(با افزایش دما رسانندگی افزایش می یابد) و وقتی چگالی گاز حامل بیشتر از مقدار بحرانی باشد رفتار فلز گونه مشاهده می شود. چگالی بحرانی (nc) ، مرز گذار فلز - عایق را مشخص می کند. در رهیافت های متفاوتی که تاکنون در مطالعه ی این پدیده ی فیزیکی استفاده شده است کل گاز حامل شبه دوبعدی با تقریب یک سیستم دو بعدی د...

در این مقاله، با استفاده از تابع تصحیح میدان موضعی هابارد و همچنین تابع ساختار، به بررسی اثر برهمکنش های کوتاه برد الکترونی و پهنای چاه کوانتومی بر رفتار تابع دی الکتریک سیستم گاز الکترون دوبعدی در حالات دمای صفر و دمای محدود می پردازیم. برای چگالی های الکترونی پائین تقریب فاز تصادفی معتبر نبوده و لازم است اثرات کوتاه برد از طریق تصحیح هابارد وارد محاسبات شود. نشان خواهیم داد با وجودی که رفتار ...

در این مقاله، با استفاده از تابع تصحیح میدان موضعی هابارد وهمچنین تابع ساختار، به بررسی اثر برهمکنشهای کوتاه برد الکترونی و پهنای چاه کوانتومی بر رفتار تابع دی الکتریک سیستم گاز الکترون دوبعدی در حالات دمای صفر و دمای محدود می پردازیم. برای چگالی های الکترونی پائین تقریب فاز تصادفی معتبر نبوده و لازم است اثرات کوتاه برد از طریق تصحیح هابارد وارد محاسبات شود. نشان خواهیم داد که با وجودی که رفتار...